Bio-Sensor
Schnitt-Typ: Dickenscherenmodus (TSM)
Nennfrequenz: 16,5 MHz +/- 165KHz
Kristallschnitt: 35 Grad 15' +/- 3' (AT-Schnitt)
Betriebstemperatur: 37º C +/- 2º C
Größe der Grundfläche: 8,6 +/- 0,05 mm x 5,4 +/- 0,05 mm, siehe Zeichnung1
Ein Biosensor ist ein Analysegerät für den Nachweis eines Analyten, das eine biologische Komponente mit einem physikalisch-chemischen Detektor kombiniert. Das empfindliche biologische Element ist ein biologisch gewonnenes Material oder eine biomimetische Komponente, die mit dem untersuchten Analyten in Wechselwirkung tritt (bindet oder erkennt).
Die biologisch empfindlichen Elemente können auch durch biologisches Engineering erzeugt werden. Der Wandler oder das Detektorelement (das auf physikalisch-chemische Weise arbeitet; optisch, piezoelektrisch, elektrochemisch usw.) wandelt das Signal, das sich aus der Wechselwirkung des Analyten mit dem biologischen Element ergibt, in ein anderes Signal um (d. h. wandelt es um), das leichter gemessen und quantifiziert werden kann. Das Biosensor-Lesegerät mit der zugehörigen Elektronik oder den Signalprozessoren, die in erster Linie für die benutzerfreundliche Anzeige der Ergebnisse zuständig sind. Die Chips werden in der Regel kundenspezifisch entwickelt und hergestellt, um den verschiedenen Funktionsprinzipien von Biosensoren gerecht zu werden.
Typische Chips unserer laufenden Serie
Das folgende Datenblatt ist ein typisches, Sie können es uns gerne mitteilen und wir werden es für Sie anpassen.
| Menge | Mehr als 1,5 Millionen monatlich |
| Schnitt-Typ | Dickenscherenmodus (TSM) |
| Nennfrequenz | 16.5 MHz +/- 165KHz |
| Kristallschnitt | 35 Grad 15′ +/- 3′ (AT-Schnitt) |
| Betriebstemperatur | 37º C +/- 2º C |
| Größe der Grundfläche | 8.6 +/- 0,05 mm x 5,4 +/- 0,05 mm, siehe Zeichnung1 |
| Untere Seite | 3 1,7 mm Durchmesser |
| Anzahl der Elektroden | |
| Größe der Elektroden | |
| Oberseite | 18.6 mm x 5,4 mm |
| Anzahl der Elektroden | |
| Größe der Elektrode | |
| Elektrodenbeschichtung | 10nm Chromschicht90nm Goldschicht |
| Scherkraft | ≥7g |
| Abscheiderate | 0.8 nms-1 bei nominaler Raumtemperatur |
| Alterungsfrequenzdrift bei 25 Grad: | ≤2% |
| Temperaturfrequenzverschiebung (wie stark kann sich die Frequenz
über den Betriebstemperaturbereich von 35 bis 39 Grad) |
so gering wie möglich (z. B. << 1 ppm) |
| Lagertemperaturbereich | ähnlichen Bereich wie bei IVD-Geräten annehmen (z. B. 2 °C bis 30 °C) |
| Spezifikation der Shunt-Kapazität und Last-Kapazität | keine Präferenz |
| Spannung, mit der das Gerät betrieben werden soll | im Bereich von 100s mV |
| Ansteuerungspegel Höhe der zu verbrauchenden Leistung | keine Vorliebe |
| Isolationswiderstand | voraussichtlich weniger als 200 Ohm, siehe Zeichnung 2 |
| ESR (äquivalenter Serienwiderstand) | niedriger ESR und hoher Qualitätsfaktor |