Germanium wafer D30mm

Germanium wafers (D30mm) hebben uitzonderlijke technische en fysische eigenschappen die ze onmisbaar maken in geavanceerde technologieën. Germanium heeft een hoge elektronenmobiliteit van ~3900 cm²/V-s, waardoor hogere schakelsnelheden in halfgeleiders mogelijk zijn, wat cruciaal is voor hoogfrequente toepassingen zoals RF-apparaten en satellietcommunicatie.

De bandkloof van 0,67 eV sluit goed aan bij infrarode golflengten, waardoor het ideaal is voor IR-optiek, fotodetectoren en thermische beeldvormingssystemen. De dichtheid (5,32 g/cm³) en brekingsindex (~4,0) van germanium zorgen voor uitstekende lichtabsorptie en optische prestaties.

Bovendien zorgt het warmtegeleidingsvermogen (59 W/m-K) voor een efficiënte warmteafvoer, waardoor de stabiliteit van het apparaat gegarandeerd is. Deze eigenschappen, gecombineerd met zijn mechanische sterkte en compatibiliteit met siliciumgebaseerde processen, vergroten zijn veelzijdigheid. De gevoeligheid van germanium voor oxidatie vereist echter beschermende coatings en de hogere kosten vergeleken met silicium kunnen wijdverspreid gebruik beperken. Deze eigenschappen dicteren de toepassing in gespecialiseerde, hoogwaardige toepassingen waar betrouwbaarheid en precisie van het grootste belang zijn.

Afbeeldingen van onze Windows/Ge wafers

Eigenschap van germanium

• Helder diafragma (%): 90.00
• Tolerantie afmeting (mm): +0.0/-0.1
• Thermische uitzettingscoëfficiënt CTE (10-6/°C): 6.1
• Dichtheid (g/cm3): 5.33
• Brekingsindex nd: 4.002 @ 11µm
• Knoop hardheid (kg/mm2): 780.00
• Parallellisme (boogmin): <1
• Poisson’s verhouding: 0,28
• Substraat: Germanium (Ge)
• Kwaliteit oppervlak: 60-40
• Diktetolerantie (mm): ±0,1