liNbO3-Wafer mit 3 Zoll Durchmesser und 0,50 mm Dicke im X-Schnitt
Material: LT, LN usw..
Abmessung: 76.20mm
Dicke: 0.50mm
Oberflächengenauigkeit: lambda/8
Oberflächenqualität: 20/10
Toleranzen: +/-0.01mm
Parallelität:30"
Lithium-Niob-Kristall (LN)LiNbO3-Linsen werden häufig in SAW-Filtern, Lichtwellenleitern, Photoelektrizitätsmodulatoren, Frequenzmultiplikationswandlern und Informationsspeichern als funktionale Kristalle mit ausgezeichneten physikalischen Eigenschaften wie Temperatur- und Krebsbeständigkeit eingesetzt. Er hat eine stabile mechanische Leistung und zeigt verschiedene besondere Eigenschaften, nachdem er unterschiedlich dotiert wurde.
1. Sägequalität LiNbO3(LN)
● Typische Spezifikationen
| Schneidewinkel | Grad. | X/Y/Z/Y36/Y42/Y48/X112 usw | |
| Durchmesser/Größe | mm | 3″/76.2 | 4″/100 |
| Tol(±) | mm | 0.25 | 0.5 |
| Dicke | mm | 0.10 mm oder mehr | 0.18 mm oder mehr |
| Primäre Referenzfläche | mm | 22mm oder kundenspezifisch | 32.5 mm oder kundenspezifisch |
| LTV (5mmx5mm) | µm | < 2 | < 2 |
| TTV | µm | < 8 | < 10 |
| Bogen | µm | ±20 | ±25 |
| Kettfaden | % | ≤ 30 | ≤ 40 |
| PLTV | ≥95%(5mm*5mm) | ≥95%(5mm*5mm) | |
| Ausrichtung Flach | Alle verfügbar | ||
| Oberfläche Typ | Einseitig poliert /Doppelseitig poliert | ||
| Polierte Seite Ra | nm | ≤1 | |
| Rückseite Kriterien | µm | Allgemein 0,2-0,5 oder nach Kundenwunsch | |
| Kantenabrundung | mm | Entspricht dem SEMI M1.2 Standard/bezieht sich auf IEC62276 | |
● Grundlegende Materialeigenschaften
| Symmetrie des Kristalls | Trigonal, 3m |
| Gitterkonstante, A | a = 5,154 c = 13,783 |
| Dichte, g/cm3 | 7.45 |
| Schmelzpunkt, °C | 1650 |
| Curie-Punkt , °C | 605 |
| Mohs-Härte | 6 |
| Wärmeausdehnungskoeffizient, 10-6/ °C | aa = 16 ac = 4 |
| Wärmeleitfähigkeit, mW/cm °C | 46 |
| Dielektrizitätskonstante (@ 100 KHz) | ea = 54 ec = 43 |
| Brechungsindizes @ 633 nm | no = 2,175 ne = 2,180 |
| Pyroelektrischer Koeffizient | -2,3 10-4 C/°C/m2 |
● Die möglichen Anwendungen
1) Lithiumniobat wird in großem Umfang auf dem Telekommunikationsmarkt eingesetzt:
a) in Mobiltelefonen und optischen Modulatoren. Es ist das Material der Wahl für die Herstellung von akustischen Oberflächenwellengeräten.
b) für die Frequenzverdopplung von Lasern, nichtlineare Optik, Pockels-Zellen, optische parametrische Oszillatoren, Güteschalter für Laser, andere akusto-optische Geräte, optische Schalter für Gigahertz-Frequenzen
c) Es ist ein ausgezeichnetes Material für die Herstellung von Lichtwellenleitern.
2) Es wird auch für die Herstellung von optischen räumlichen Tiefpassfiltern (Anti-Aliasing-Filtern) verwendet.
2. LN-Wafer optischer Qualität
● Typische Spezifikationen
| Ausrichtung | X&Z-Schliff ±0,2° |
| Durchmesser | 50.8mm/76,2 mm/100mm ±0,3 mm |
| Ausrichtung Flach(OF) | 22mm ±2 mm/32mm ±2 mm Senkrecht zu X ±0,2° |
| Zweite Bezugsebene (RF) | Cw225°±0.5°vom OF Cw315°±0.5°vom OF |
| Dicke | 250um/500um/1000um ±5um oder mehr |
| Qualität der Oberfläche | Beidseitig poliert; S/D:20/10 |
| TTV | ≤10um |
| WARP | ≤50um |
| Curie-Temperatur | 1142℃± 0.7℃ |
| Brechungsindex | n。=2,2878±0,0002 n。=2,2033±0,0002 Prismenkoppler method@632.8nm |
| Kantenabschrägung | Kantenabrundung |
Kundenspezifische Anpassung möglich
● Grundlegende Materialeigenschaften
| Kristallstruktur | Trigonal, Punktgruppe 3m |
| Gitterparameter | a=5,148Å, c=13,863Å |
| Dichte | 4.64 g/cm3 |
| Schmelzpunkt | 1250 °C |
| Curie-Punkt | 1142±2℃ |
| Mohs-Härte | 5 |
| Dielektrizitätskonstante | e11/e0 = 85; e33/e0 = 29,5 |
| Wärmeleitfähigkeit | 38 W/m/°C bei 25°C |
| Thermischer Ausdehnungskoeffizient | a1=a2 =2×10-6/°C, a3=2,2×10-6/°C bei 25°C |
| Elastische Steifigkeitskonstante | CE11 = 2,04 x 1011 N/m2, CE33 = 2,46 x 1011 N/m2 |
● Die möglichen Anwendungen
1) EO-Hohlleiter-Phasenmodulatoren
2) EO-Hohlleiter-Amplitudenmodulatoren
3) Integrierte Wellenleiter-Photonik
4) Wellenleiterlaser
