Schwarzer Lithium-Niobat-Wafer

Spezifikationen
Material: Schwarzer Lithium-Niobat-Wafer

Curie-Temperatur: 1142±2.0℃

Schneidewinkel: X/Y/Z/Y36/Y41/Y64/Y128/etc

Durchmesser/Größe: 3"/4"/6" & 8" LN-Wafer

Tol(±): <0,20 mm

Dicke: 0,18 ~ 0,5 mm oder mehr

Primär flach: 22 mm / 32 mm / 42,5 mm / 57,5 mm / Semi-Notch

Die Reduktionstechnik wird zur Herstellung von schwarzem Lithiumniobat (LiNbO3) verwendet, das eine hohe Fähigkeit zur Neutralisierung von Ladungen hat, selbst wenn das elektrische Potenzial sofort auftritt. Der pyroelektrische Effekt von LN-Wafern ist nahezu eliminiert, und der Transmissionsgrad ist erheblich reduziert. Die piezoelektrischen Eigenschaften schwarzer Lithiumniobat-Wafer unterscheiden sich nicht von denen der Standard-Wafer. Daher werden schwarze reduzierte Lithiumniobat-Wafer in großem Umfang zur Herstellung von akustischen Oberflächenwellengeräten mit höherer Frequenz verwendet.

Schwarze LiNbO3- und LiTaO3-Wafer wurden erfolgreich durch chemische Reduktion unter einer gemischten Atmosphäre aus CO2 und H2 hergestellt. Die Bulk-Leitfähigkeit und die optische Durchlässigkeit der schwarzen LiNbO3- und LiTaO3-Wafer wurden gemessen. Die Ergebnisse zeigten, dass der pyroelektrische Effekt bei den reduzierten Wafern nahezu eliminiert war und die Transmission erheblich abnahm. Der Reduktionsprozess änderte weder die Curie-Temperaturen noch die piezoelektrischen Eigenschaften der LN- und LT-Wafer, während die elektrischen Ladungen neutralisiert wurden, auch wenn das elektrische Potenzial sofort auftritt.

Die Reduktionstechnologie wird zur Herstellung von schwarzem Lithiumniobat (LiNbO3) verwendet, das eine hohe Fähigkeit zur Neutralisierung elektrischer Ladungen besitzt, selbst wenn das elektrische Potenzial sofort auftritt. Schwarzes Lithiumniobat unterscheidet sich in seinen piezoelektrischen Eigenschaften nicht von Standardwafern. Daher werden schwarze reduzierte Lithium-Niobat-Wafer häufig zur Herstellung von SAW-Bauelementen mit höherer Frequenz verwendet.

LTV (5mmx5mm) <1µm
TTV <3µm
Bogen -30<Bogen<30
Verwerfung <40µm
PLTV(<0.5um) ≥95%(5mm*5mm)
Oberfläche Einseitig poliert / Doppelseitig poliert
Polierte Seite Ra <0,5nm
Rückseiten-Kriterien Allgemein 0,2-0,5µm oder nach Kundenwunsch
Kriterien für die Kante R=0,2mm oder Bullnose
Kriterien für die Wafer-Oberfläche Durchlässigkeit allgemein:5,9×10-11<s<2,0*10-10 bei 25℃
Verunreinigung, Keine
Partikel ¢>0,3 µ m <= 30
Kratzer, Abplatzungen Keine
Defekt Keine Kantenrisse, Kratzer, Sägespuren, Flecken
Verpackung Menge/Waffelkarton 25 Stück pro Schachtel
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